2N7002LT1G N-Channel 60V 115mA 2.5V 250uA 7.5Ω 500mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS

Breve descrizione:

Parte Fabbricante: 2N7002LT1G
Produttore: ON Semiconductor
Paquet: SOT-23 (SOT-23-3)
Descrizzione: MOSFET 60V 115mA N-Channel
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Detail di u produttu

Tags di u produttu

Parametru di u produttu

Attributu	Valore
Produttore:	ON Semiconductor
Categoria di produttu:	MOSFET
RoHS:	Dettagli
Tecnulugia:	Si
Stile di muntatura:	SMD/SMT
Pacchettu / Casu:	SOT-23-3
Polarità di transistor:	Canale N
Numero di canali:	1 Canale
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Id - Corrente di Drain Continuu:	115 mA
Rds On - Resistenza di Drain-Source:	7,5 ohms
Vgs - Tensione Gate-Source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensione Soglia di Porta-Source:	1 V
Température minimale de fonctionnement :	- 55 C
Temperature Maximum Operating:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di putenza:	300 mW
Modu di canali:	Enhancement
Imballaggio:	Tape Tape
Imballaggio:	MouseReel
Imballaggio:	Reel
Cunfigurazione:	Single
Altezza:	0,94 mm
Lunghezza:	2,9 mm
Pruduttu:	Petit signal MOSFET
Serie:	2N7002L
Tipu di transistor:	1 Canale N
Tipu:	MOSFET
larghezza:	1,3 mm
Marca:	ON Semiconductor
Transconduttanza in avanti - Min:	80 ms
Tipu di pruduttu:	MOSFET
Quantità di pacchettu di fabbrica:	3000
Subcategoria:	MOSFET
Tempu tipicu di ritardu di spegnimentu:	40 ns
Tempu tipicu di ritardu di accensione:	20 ns
Pesu unità:	0,000282 oz