MMBT2222ALT1G NPN 600mA 40V 225mW SOT-23 (SOT-23-3) Transistor bipolari - BJT RoHS

Breve descrizione:

Parte Fabbricante: MMBT2222ALT1G
Produttore: ON Semiconductor
Paquet: SOT-23 (SOT-23-3)
Descrizione: Transistor bipolari - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 40V
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Detail di u produttu

Tags di u produttu

Parametru di u produttu

Attributu	Valore
Produttore:	ON Semiconductor
Categoria di produttu:	Transistor bipolari - BJT
RoHS:	Dettagli
Stile di muntatura:	SMD/SMT
Pacchettu / Casu:	SOT-23-3
Polarità di transistor:	NPN
Cunfigurazione:	Single
Tensione Collettore-Emettitore VCEO Max:	40 V
Collettore- Tensione di Base VCBO:	75 V
Emettitore - Tensione di basa VEBO:	6 V
Tensione di Saturazione Collettore-Emettitore:	1 V
Corrente Massima di Collettore DC:	0,6 A
Pd - Dissipazione di putenza:	225 mW
Guadagnà a larghezza di banda di u produttu fT:	300 MHz
Température minimale de fonctionnement :	- 55 C
Temperature Maximum Operating:	+ 150 C
Serie:	MMBT2222AL
Imballaggio:	Tape Tape
Imballaggio:	MouseReel
Imballaggio:	Reel
Altezza:	0,94 mm
Lunghezza:	2,9 mm
Tecnulugia:	Si
larghezza:	1,3 mm
Marca:	ON Semiconductor
Corrente di u cullettore continuu:	0,6 A
Tipu di pruduttu:	BJTs - Transistor bipolari
Quantità di pacchettu di fabbrica:	3000
Subcategoria:	Transistors
Pesu unità:	0,001058 oz