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MMBT2907ALT1G PNP 600mA 60V 300mW SOT-23 (SOT-23-3) Transistor bipolari - BJT RoHS
Parametru di u produttu
| Attributu | Valore |
| Produttore: | ON Semiconductor |
| Categoria di produttu: | Transistor bipolari - BJT |
| RoHS: | Dettagli |
| Stile di muntatura: | SMD/SMT |
| Pacchettu / Casu: | SOT-23-3 |
| Polarità di transistor: | PNP |
| Cunfigurazione: | Single |
| Tensione Collettore-Emettitore VCEO Max: | - 60 V |
| Collettore- Tensione di Base VCBO: | - 60 V |
| Emettitore - Tensione di basa VEBO: | 5 V |
| Tensione di Saturazione Collettore-Emettitore: | - 1,6 V |
| Corrente Massima di Collettore DC: | 0,6 A |
| Pd - Dissipazione di putenza: | 225 mW |
| Guadagnà a larghezza di banda di u produttu fT: | 200 MHz |
| Température minimale de fonctionnement : | - 55 C |
| Temperature Maximum Operating: | + 150 C |
| Serie: | MMBT2907AL |
| Imballaggio: | Tape Tape |
| Imballaggio: | MouseReel |
| Imballaggio: | Reel |
| Altezza: | 0,94 mm |
| Lunghezza: | 2,9 mm |
| Tecnulugia: | Si |
| larghezza: | 1,3 mm |
| Marca: | ON Semiconductor |
| Corrente di u cullettore continuu: | - 0,6 A |
| Collettore DC/Gain base hfe Min: | 75 |
| Tipu di pruduttu: | BJTs - Transistor bipolari |
| Quantità di pacchettu di fabbrica: | 3000 |
| Subcategoria: | Transistors |
| Pesu unità: | 0,001058 oz |
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